MOS管热阻参数解读

点击数:3571

 

以下用到的SPEC参数是Rohm的NMOS管RE1C001UN

定义:热阻指的是当有热量在物体上传输时,在物体两端温度差与热源的功率之间的比值,单位是℃/W或者是K/W。半导体散热的三个途径,封装顶部到空气,封装底部到电路板,封装引脚到电路板

 

Tj:芯片结温,Ta:芯片环境温度,热阻ThetaJA = (Tj-Ta)/P

 

还有一些其他的热阻参数如下:

ThetaJA=(Tj-Ta)/P,结到空气环境的热阻。

ThetaJC=(Tj-Tc)/P,结到封装外壳的热阻,一般而言是到封装顶部的热阻,所以一般的,ThetaJC = ThetaJT

ThetaJB=(Tj-Tb)/P,结到PCB的热阻。

 

PD@TA=25°CPowerDissipation3.8W

PD@TC=25°CPowerDissipation180W

简单的说,你这个产品在室温环境下(25℃)只能去到3.8W,

但如果你给良好的散热条件,保证产品是25℃,它只扛住180W.

 

 

MOS管热阻参数解读

Power dissipation:功率损耗,指的是NMOS消耗功率不能超过150mW

Junction temperature:结温,结面温度,指的是NMOS最高结温不能超过150℃

Thermal resistance:热阻,如下的833℃/W指的是NMOS结面相对于环境温度的热阻是833℃/W,假如器件消耗的功率是1W,那温升就是833℃

 

 

 

 

 

 

打印